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BUK952R8-30B

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小144KB,共15页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
标准
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BUK952R8-30B概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

BUK952R8-30B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)75 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
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