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BUK866-400IZT/R

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小463KB,共8页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BUK866-400IZT/R概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel,

BUK866-400IZT/R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压500 V
最大降落时间(tf)10000 ns
门极发射器阈值电压最大值2 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
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