TRANSISTOR 20 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | LOGIC LEVEL, VOLTAGE CLAMPING |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 20 A |
集电极-发射极最大电压 | 500 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | AUTOMOTIVE IGNITION |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 19000 ns |
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