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PJESDZ6V8-2G_R2_00001

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 20W, 5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小433KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJESDZ6V8-2G_R2_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 20W, 5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon,

PJESDZ6V8-2G_R2_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-F3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压7.2 V
最小击穿电压6.2 V
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F3
最大非重复峰值反向功率耗散20 W
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
参考标准IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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PJESDZ6V8-2G
E.S.D. Dual Protection Diode Array
This Dual Unidirectional ESD Protector Array family have been designed to protect
sensitive equipment against ESD in high speed transmission buses, operating at
5V. This dual array offers an integrated solution to protect up to
2 data lines in a unidirectional mode or, 1 data line in a bi-directional mode, in
application where the board space is a premium, in our SOT523 package
version.
PANJIT SOT523
3
SPECIFICATION FEATURES
IEC61000-4-2 ESD 15kV air, 8kV Contact Compliance
Low Leakage Current, Maximum of 0.5µA at rated voltage
Maximum Capacitance of 10pF per device at 0Vdc 1MHz
Peak Power Dissipation of 20W 8/20µs Waveform
Pin to pin compatible with standard SOT523
Low profile, Max height of 0.55mm
1
2
3
APPLICATIONS
Mobile Phones
Digital Cameras
Notebooks PC's
1
2
MAXIMUM RATINGS (Per Device)
Rating
Peak Pulse Power (8/20µs Waveform)
Peak Pulse Current (8/20µs Waveform)
ESD Voltage (HBM Per MIL STD883C - Method 3015-6)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
PP
I
PPM
V
ESD
TJ
T
stg
Value
20
2
20
-55 to +125
-55 to +150
Units
W
A
kV
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Device)
Tj = 25°C
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage (8/20µs)
Off State Junction Capacitance*
Symbol
V
WRM
V
BR
I
R
V
c
Cj
I
BR
= 1mA
V
R
= 5V
I pp = 2A
0 Vdc Bias f = 1MHz
between pin 1, 2 to 3 (Gnd)
Conditions
Min
Typical
Max
5.0
Units
V
V
µA
V
pF
6.2
7.2
0.5
10
9
10
* Capacitance between pins 1 and 2 is half of the value, in a bi-directional configuration.
12/9/2008
-1-
www.panjit.com
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