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GBJ610

产品描述2.8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小75KB,共2页
制造商FCI [First Components International]
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GBJ610概述

2.8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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Data Sheet
Description
6.0 Amp GLASS PASSIVATED
SINGLE PHASE SILICON BRIDGE
Mechanical Dimensions
GBJ6005 . . . 610 Series
Dimensions in inches and (mm)
Features
n
GLASS PASSIVATED DIE
n
LOW LEAKAGE CURRENT
n
CASE DIELECTRIC OF STRENGTH OF 1500V
n
170 AMP SURGE OVERLOAD RATING
n
MEETS UL SPECIFICATION 94V-0
n
LOW REVERSE CURRENT
GBJ6005 . . . 610 Series
Maximum Ratings
Peak Repetitive Reverse Voltage...V
RRM
RMS Reverse Voltage...V
R(rms)
DC Blocking Voltage...V
DC
Average Forward Rectified Current...I
O
T
C
= 110°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current...I
FSM
8.3 ms Single ½ Sine Wave Imposed on Rated Load
GBJ6005 GBJ601
50
35
50
100
70
100
GBJ602
200
140
200
GBJ604
400
280
400
GBJ606
600
420
600
GBJ608
800
560
800
GBJ610
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
°C
............................................. 6.0 ...............................................
............................................. 170 ...............................................
Operating and Storage Temperature Range...T
J
,T
STRG
......................................... -65 to 150 ..........................................
Electrical Characteristics
Maximum Forward Voltage...V
F
Per Bridge Element @ 6.0 Amps
............................................. 1.0 ...............................................
Volts
Maximum DC Reverse Current Per Bridge Element...I
R
............................................. 5 ...............................................
µAmps
............................................. 500 ...............................................
µAmps
@ Rated DC Blocking Voltage
T
A
= 25°C
T
A
=100°C
Typical Thermal Resistance...R
θJC
............................................. 1 0 ...............................................
°C
/ W

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