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LH4200G

产品描述0.5 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小318KB,共7页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

LH4200G概述

0.5 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER

LH4200G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明QUAD12,.4SQ
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
构造COMPONENT
JESD-609代码e0
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
端子数量12
最大工作频率1000 MHz
最小工作频率0.5 MHz
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料METAL
封装等效代码QUAD12,.4SQ
电源10 V
射频/微波设备类型WIDE BAND LOW POWER
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

LH4200G相似产品对比

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描述 0.5 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER 0.5 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER IC,RF AMPLIFIER,BIPOLAR/GAAS,DIP,CERAMIC IC,RF AMPLIFIER,BIPOLAR/GAAS,DIP,24PIN,CERAMIC IC,RF AMPLIFIER,BIPOLAR/GAAS,DIP,24PIN,CERAMIC
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 QUAD12,.4SQ DIP(UNSPEC) DIP(UNSPEC) DIP24,.6 DIP24,.6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
安装特点 THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度 125 °C 85 °C 125 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -25 °C -55 °C -25 °C -25 °C
封装主体材料 METAL CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装等效代码 QUAD12,.4SQ DIP(UNSPEC) DIP(UNSPEC) DIP24,.6 DIP24,.6
电源 10 V 10 V 10 V 10 V 10 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子数量 12 - - 24 24
Base Number Matches - 1 1 1 1
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