Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
参数名称 | 属性值 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 2 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE |
最小直流电流增益 (hFE) | 1000 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON |
VCEsat-Max | 2.5 V |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved