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MB8M: 产品描述Bridge Rectifiers, Diodes, Bridge, 800V, 1A, 1.1V, 0.4A, 30A; 产品类别分立半导体; 文件大小786KB，共4页; 制造商Galaxy Microelectronics; 标准

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MB8M概述

Bridge Rectifiers, Diodes, Bridge, 800V, 1A, 1.1V, 0.4A, 30A

MB8M规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Galaxy Microelectronics
零件包装代码	MBM
Reach Compliance Code	unknown
最小击穿电压	800 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PDIP-T4
最大非重复峰值正向电流	35 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	800 V
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
类别
VRRM (V) max	800
IF (A) max	1
VF (V) max	1.1
Condition1_IF (A)	0.4
IFSM (A) max	30
IR (uA) max	5
Condition2_VR (V)	800
最高工作温度	150
最低工作温度	-55
是否无铅	yes
符合Reach	yes
符合RoHS	yes
ECCN代码	EAR99
Package Outlines	MBM

MB8M相似产品对比

	MB8M	MB10M	MB6M	MB4M
描述	Bridge Rectifiers, Diodes, Bridge, 800V, 1A, 1.1V, 0.4A, 30A	Surface Mount Bridge Rectifier; VRRM Max (V): 1000V; VFM Max (V): 1.1V; IFSM Max (A): 30A; IR Max (UA): 5uA; @VR (V): 1000V; TRR Max (NS): -; Package: MBM	Bridge Rectifiers, Diodes, Bridge, 600V, 1A, 1.1V, 0.4A, 30A	Bridge Rectifiers, Diodes, Bridge, 400V, 1A, 1.1V, 0.4A, 30A
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	MBM	MBM	MBM	MBM
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最小击穿电压	800 V	1000 V	600 V	400 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PDIP-T4	R-PDIP-T4	R-PDIP-T4	R-PDIP-T4
最大非重复峰值正向电流	35 A	35 A	35 A	35 A
元件数量	4	4	4	4
相数	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	800 V	1000 V	600 V	400 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	Galaxy Microelectronics	-	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics
最高工作温度	150	150 °C	150	150
最低工作温度	-55	-55 °C	-55	-55
VRRM (V) max	800	-	600	400
IF (A) max	1	-	1	1
VF (V) max	1.1	-	1.1	1.1
Condition1_IF (A)	0.4	-	0.4	0.4
IFSM (A) max	30	-	30	30
IR (uA) max	5	-	5	5
Condition2_VR (V)	800	-	600	400
是否无铅	yes	-	yes	yes
符合Reach	yes	-	yes	yes
符合RoHS	yes	-	yes	yes
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99
Package Outlines	MBM	-	MBM	MBM

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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