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WED9LC6416V1312BI

产品描述Memory Circuit, 4MX32, CMOS, PBGA153, MO-163, BGA-153
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文件大小371KB,共27页
制造商White Microelectronics
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WED9LC6416V1312BI概述

Memory Circuit, 4MX32, CMOS, PBGA153, MO-163, BGA-153

WED9LC6416V1312BI规格参数

参数名称属性值
厂商名称White Microelectronics
包装说明MO-163, BGA-153
Reach Compliance Codeunknown
其他特性128K X 32-BIT SRAM ALSO AVAILABLE
JESD-30 代码R-PBGA-B153
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度32
功能数量1
端子数量153
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
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