
7V,600W,Surface Mount TVS, Diodes, 10×1000us, 600W, 7V, 7.78V, 9.51V, 200uA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Galaxy Microelectronics |
| 零件包装代码 | SMB |
| 包装说明 | R-PDSO-J2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN, UL RECOGNIZED |
| 最大击穿电压 | 9.51 V |
| 最小击穿电压 | 7.78 V |
| 击穿电压标称值 | 8.6 V |
| 最大钳位电压 | 13.3 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码 | DO-214AA |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 600 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性 | BIDIRECTIONAL |
| 最大重复峰值反向电压 | 7 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子位置 | DUAL |
| 类别 | |
| Condition | 10×1000us |
| PPK (W) | 600 |
| VRWM (V) max. | 7 |
| VBR (V) min. | 7.78 |
| VBR (V) max. | 9.51 |
| IR (uA) max. | 200 |
| VC (V) max. | 13.3 |
| Condition1_IPP (A) | 45.1 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 是否无铅 | Yes |
| 符合Reach | Yes |
| 符合RoHS | Yes |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Package Outlines | SMB |

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