120 A, 65 V, 0.01 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
120 A, 65 V, 0.01 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-263AB
参数名称 | 属性值 |
最小击穿电压 | 65 V |
端子数量 | 2 |
加工封装描述 | PLASTIC, TO-263, 3 PIN |
each_compli | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | Active |
额定雪崩能量 | 1000 mJ |
壳体连接 | DRAIN |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
drain_current_max__abs___id_ | 0.1200 A |
最大漏电流 | 120 A |
最大漏极导通电阻 | 0.0100 ohm |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
jedec_95_code | TO-263AB |
jesd_30_code | R-PSSO-G2 |
jesd_609_code | e3 |
moisture_sensitivity_level | NOT SPECIFIED |
元件数量 | 1 |
操作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最大工作温度 | 150 Cel |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
eak_reflow_temperature__cel_ | NOT SPECIFIED |
larity_channel_type | P-CHANNEL |
wer_dissipation_max__abs_ | 298 W |
最大漏电流脉冲 | 360 A |
qualification_status | COMMERCIAL |
sub_category | Other Transistors |
表面贴装 | YES |
端子涂层 | PURE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
dditional_feature | AVALANCHE RATED |
IXTA120P065T | IXTP120P065T | |
---|---|---|
描述 | 120 A, 65 V, 0.01 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | 120 A, 65 V, 0.01 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
最小击穿电压 | 65 V | 65 V |
端子数量 | 2 | 3 |
加工封装描述 | PLASTIC, TO-263, 3 PIN | PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
欧盟RoHS规范 | Yes | Yes |
状态 | Active | ACTIVE |
额定雪崩能量 | 1000 mJ | 1000 mJ |
壳体连接 | DRAIN | DRAIN |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最大漏电流 | 120 A | 120 A |
最大漏极导通电阻 | 0.0100 ohm | 0.0100 ohm |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
元件数量 | 1 | 1 |
操作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
包装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT |
最大漏电流脉冲 | 360 A | 360 A |
端子涂层 | PURE TIN | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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