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IXTA120P065T

产品描述120 A, 65 V, 0.01 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小185KB,共6页
制造商IXYS ( Littelfuse )
官网地址http://www.ixys.com/
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IXTA120P065T概述

120 A, 65 V, 0.01 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

120 A, 65 V, 0.01 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-263AB

IXTA120P065T规格参数

参数名称属性值
最小击穿电压65 V
端子数量2
加工封装描述PLASTIC, TO-263, 3 PIN
each_compliYes
欧盟RoHS规范Yes
状态Active
额定雪崩能量1000 mJ
壳体连接DRAIN
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
drain_current_max__abs___id_0.1200 A
最大漏电流120 A
最大漏极导通电阻0.0100 ohm
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
jedec_95_codeTO-263AB
jesd_30_codeR-PSSO-G2
jesd_609_codee3
moisture_sensitivity_levelNOT SPECIFIED
元件数量1
操作模式ENHANCEMENT MODE
最大工作温度150 Cel
包装材料PLASTIC/EPOXY
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_NOT SPECIFIED
larity_channel_typeP-CHANNEL
wer_dissipation_max__abs_298 W
最大漏电流脉冲360 A
qualification_statusCOMMERCIAL
sub_categoryOther Transistors
表面贴装YES
端子涂层PURE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
ime_peak_reflow_temperature_max__s_NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
dditional_featureAVALANCHE RATED

IXTA120P065T相似产品对比

IXTA120P065T IXTP120P065T
描述 120 A, 65 V, 0.01 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 120 A, 65 V, 0.01 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
最小击穿电压 65 V 65 V
端子数量 2 3
加工封装描述 PLASTIC, TO-263, 3 PIN PLASTIC, TO-220, 3 PIN
欧盟RoHS规范 Yes Yes
状态 Active ACTIVE
额定雪崩能量 1000 mJ 1000 mJ
壳体连接 DRAIN DRAIN
结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏电流 120 A 120 A
最大漏极导通电阻 0.0100 ohm 0.0100 ohm
场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量 1 1
操作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
最大漏电流脉冲 360 A 360 A
端子涂层 PURE TIN TIN SILVER COPPER
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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