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WME128K8-150DEM

产品描述EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOJ-32
产品类别存储    存储   
文件大小320KB,共11页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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WME128K8-150DEM概述

EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOJ-32

WME128K8-150DEM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1546388643
包装说明0.400 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOJ-32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间150 ns
其他特性HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-CDSO-J32
JESD-609代码e4
长度21.1 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
页面大小128 words
并行/串行PARALLEL
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.96 mm
最大待机电流0.000625 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
切换位YES
宽度10.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
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