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LT1102CJ: 产品描述IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 900 uV OFFSET-MAX, 0.22 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小297KB，共8页; 制造商Linear ( ADI ); 官网地址http://www.analog.com/cn/index.html

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LT1102CJ概述

IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 900 uV OFFSET-MAX, 0.22 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier

LT1102CJ规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Linear ( ADI )
零件包装代码	DIP
包装说明	CERDIP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.00006 µA
标称带宽 (3dB)	0.22 MHz
最小共模抑制比	82 dB
最大输入失调电流 (IIO)	0.00006 µA
最大输入失调电压	900 µV
JESD-30 代码	R-GDIP-T8
JESD-609代码	e0
负供电电压上限	-20 V
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
标称压摆率	17 V/us
最大压摆率	5.6 mA
供电电压上限	20 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V
表面贴装	NO
技术	FET
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

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LT1102CJ相似产品对比

	LT1102CJ	LT1102ACN	LT1102IN	LT1102MJ
描述	IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 900 uV OFFSET-MAX, 0.22 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier	IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 600 uV OFFSET-MAX, 0.22 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier	IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 900 uV OFFSET-MAX, 0.22 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier	IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 900 uV OFFSET-MAX, 0.22 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	CERDIP-8	PLASTIC, DIP-8	PLASTIC, DIP-8	CERDIP-8
针数	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.00006 µA	0.00004 µA	0.00006 µA	0.00006 µA
标称带宽 (3dB)	0.22 MHz	0.22 MHz	0.22 MHz	0.22 MHz
最小共模抑制比	82 dB	84 dB	82 dB	82 dB
最大输入失调电流 (IIO)	0.00006 µA	0.00004 µA	0.00006 µA	0.00006 µA
最大输入失调电压	900 µV	600 µV	900 µV	900 µV
JESD-30 代码	R-GDIP-T8	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	R-GDIP-T8
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
负供电电压上限	-20 V	-20 V	-20 V	-20 V
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V
功能数量	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	125 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	3.937 mm	3.937 mm	5.08 mm
标称压摆率	17 V/us	17 V/us	17 V/us	17 V/us
最大压摆率	5.6 mA	5 mA	5.6 mA	5.6 mA
供电电压上限	20 V	20 V	20 V	20 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V	15 V	15 V	15 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	FET	FET	FET	FET
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
Base Number Matches	-	1	1	1

推荐资源

IX0348PA(录像机)红外线遥控发射电路

检测沿生产线传送带移动物体的电路

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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