ADG788BCP-REEL7,ADG788BCP-REEL7 pdf中文资料,ADG788BCP-REEL7引脚图,ADG788BCP-REEL7电路-Datasheet-电子工程世界

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ADG788BCP-REEL7: 产品描述IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, QCC20, 4 X 4 MM, CSP-20, Multiplexer or Switch; 产品类别模拟混合信号IC 信号电路; 文件大小136KB，共12页; 制造商ADI(亚德诺半导体); 官网地址https://www.analog.com

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ADG788BCP-REEL7概述

IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, QCC20, 4 X 4 MM, CSP-20, Multiplexer or Switch

ADG788BCP-REEL7规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码	QFN
包装说明	4 X 4 MM, CSP-20
针数	20
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	CAN ALSO OPERATE AT 5V NOMINAL
模拟集成电路 - 其他类型	SPDT
JESD-30 代码	S-XQCC-N20
JESD-609代码	e0
长度	4 mm
湿度敏感等级	3
负电源电压最大值（Vsup）	-2.75 V
负电源电压最小值（Vsup）	-2.25 V
标称负供电电压 (Vsup)	-2.5 V
信道数量	1
功能数量	4
端子数量	20
标称断态隔离度	72 dB
通态电阻匹配规范	0.1 Ω
最大通态电阻 (Ron)	4.5 Ω
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
输出	SEPARATE OUTPUT
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	HVQCCN
封装等效代码	LCC20,.16SQ,20
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	+-2.5/3/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.9 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.75 V
最小供电电压 (Vsup)	2.25 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
最长断开时间	16 ns
最长接通时间	35 ns
切换	BREAK-BEFORE-MAKE
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	4 mm

ADG788BCP-REEL7相似产品对比

	ADG788BCP-REEL7	ADG786BCP-REEL
描述	IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, QCC20, 4 X 4 MM, CSP-20, Multiplexer or Switch	IC TRIPLE 1-CHANNEL, SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, QCC20, 4 X 4 MM, CSP-20, Multiplexer or Switch
是否Rohs认证	不符合	不符合
零件包装代码	QFN	QFN
包装说明	4 X 4 MM, CSP-20	4 X 4 MM, CSP-20
针数	20	20
Reach Compliance Code	unknown	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	CAN ALSO OPERATE AT 5V NOMINAL	CAN ALSO OPERATE AT 5V NOMINAL
模拟集成电路 - 其他类型	SPDT	SPDT
JESD-30 代码	S-XQCC-N20	S-XQCC-N20
JESD-609代码	e0	e0
长度	4 mm	4 mm
湿度敏感等级	3	3
负电源电压最大值（Vsup）	-2.75 V	-2.75 V
负电源电压最小值（Vsup）	-2.25 V	-2.25 V
标称负供电电压 (Vsup)	-2.5 V	-2.5 V
信道数量	1	1
功能数量	4	3
端子数量	20	20
标称断态隔离度	72 dB	72 dB
通态电阻匹配规范	0.1 Ω	0.1 Ω
最大通态电阻 (Ron)	4.5 Ω	4.5 Ω
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
输出	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	HVQCCN	HVQCCN
封装等效代码	LCC20,.16SQ,20	LCC20,.16SQ,20
封装形状	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	240	240
电源	+-2.5/3/5 V	+-2.5/3/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	0.9 mm	0.9 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.75 V	2.75 V
最小供电电压 (Vsup)	2.25 V	2.25 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES
最长断开时间	16 ns	16 ns
最长接通时间	35 ns	35 ns
切换	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30
宽度	4 mm	4 mm

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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