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TF915-08B

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 800V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小578KB,共12页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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TF915-08B概述

Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 800V V(DRM),

TF915-08B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
标称电路换相断开时间40 µs
关态电压最小值的临界上升速率300 V/us
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大漏电流60 mA
通态非重复峰值电流17000 A
最大通态电流1500000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压800 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR

TF915-08B相似产品对比

TF915-08B TF915-06B TF915-10B TF915-12B TF915-14B
描述 Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 800V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 600V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 1000V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 1200V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 1400V V(DRM),
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
标称电路换相断开时间 40 µs 40 µs 40 µs 40 µs 40 µs
关态电压最小值的临界上升速率 300 V/us 300 V/us 300 V/us 300 V/us 300 V/us
最大直流栅极触发电流 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大漏电流 60 mA 60 mA 60 mA 60 mA 60 mA
通态非重复峰值电流 17000 A 17000 A 17000 A 17000 A 17000 A
最大通态电流 1500000 A 1500000 A 1500000 A 1500000 A 1500000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -45 °C -45 °C -45 °C -45 °C
断态重复峰值电压 800 V 600 V 1000 V 1200 V 1400 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR

 
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