Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 800V V(DRM),
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
标称电路换相断开时间 | 40 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 300 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 200 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V |
最大漏电流 | 60 mA |
通态非重复峰值电流 | 17000 A |
最大通态电流 | 1500000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 800 V |
表面贴装 | NO |
触发设备类型 | SCR |
TF915-08B | TF915-06B | TF915-10B | TF915-12B | TF915-14B | |
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描述 | Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 800V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 600V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 1000V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 1200V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 1400V V(DRM), |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
标称电路换相断开时间 | 40 µs | 40 µs | 40 µs | 40 µs | 40 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 300 V/us | 300 V/us | 300 V/us | 300 V/us | 300 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 200 mA | 200 mA | 200 mA | 200 mA | 200 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
最大漏电流 | 60 mA | 60 mA | 60 mA | 60 mA | 60 mA |
通态非重复峰值电流 | 17000 A | 17000 A | 17000 A | 17000 A | 17000 A |
最大通态电流 | 1500000 A | 1500000 A | 1500000 A | 1500000 A | 1500000 A |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -45 °C | -45 °C | -45 °C | -45 °C |
断态重复峰值电压 | 800 V | 600 V | 1000 V | 1200 V | 1400 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR |
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