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P4KE350C-GT3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 284V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小275KB,共5页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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P4KE350C-GT3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 284V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2

P4KE350C-GT3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性UL RECOGNIZED
最大击穿电压385 V
最小击穿电压315 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散400 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压284 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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