RN2731B110W概述

TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power

RN2731B110W规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code	compliant
外壳连接	BASE
最大集电极电流 (IC)	12 A
集电极-发射极最大电压	25 V
配置	SINGLE
最高频带	S BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	280 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

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RN2731B110W相似产品对比

	RN2731B110W	RO2731B10W	RO2731B20W	RO2731B50W	RN3034B80W	RX1214B150W
描述	TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power	TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power	TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power	TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power	TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power	TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	unknown
外壳连接	BASE	BASE	BASE	BASE	BASE	BASE
集电极-发射极最大电压	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	20 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最高频带	S BAND	S BAND	S BAND	S BAND	S BAND	L BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2	R-CDFM-F2	R-CDFM-F2	R-CDFM-F2	R-CDFM-F2	R-CDFM-F2
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	NXP(恩智浦)	-	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
最大集电极电流 (IC)	12 A	1.4 A	2.7 A	6.5 A	12 A	-
最大功率耗散 (Abs)	280 W	35 W	60 W	190 W	280 W	-

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