Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 75V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | NEC(日电) |
零件包装代码 | D2PAK |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 450 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 75 V |
最大漏极电流 (ID) | 88 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0085 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 352 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
NP88N075KUE-AZ | NP88N075CUE-AZ | NP88N075DUE-AZ | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 75V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 75V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 75V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN |
厂商名称 | NEC(日电) | NEC(日电) | NEC(日电) |
零件包装代码 | D2PAK | TO-220AB | TO-262AA |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 4 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 450 mJ | 450 mJ | 450 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 75 V | 75 V | 75 V |
最大漏极电流 (ID) | 88 A | 88 A | 88 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0085 Ω | 0.0085 Ω | 0.0085 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB | TO-220AB | TO-262AA |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 352 A | 352 A | 352 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | NO | NO |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
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