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NP88N075KUE-AZ

产品描述88A, 75V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小76KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准  
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NP88N075KUE-AZ概述

88A, 75V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN

NP88N075KUE-AZ规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)450 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压75 V
最大漏极电流 (ID)88 A
最大漏源导通电阻0.0085 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)352 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NP88N075KUE-AZ相似产品对比

NP88N075KUE-AZ NP88N075EUE NP88N075CUE NP88N075DUE NP88N075DUE-AZ NP88N075KUE-E2-AZ
描述 88A, 75V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN 88A, 75V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN 88A, 75V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN 88A, 75V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN 88A, 75V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,75V V(BR)DSS,88A I(D),TO-263AB
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 不符合 符合 符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code compliant compliant unknown compliant compliant compliant
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES NO NO NO YES
是否无铅 不含铅 含铅 含铅 含铅 - -
零件包装代码 D2PAK D2PAK TO-220AB TO-262AA TO-262AA -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 -
针数 4 4 3 3 3 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
雪崩能效等级(Eas) 450 mJ 450 mJ 450 mJ 450 mJ 450 mJ -
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN -
最小漏源击穿电压 75 V 75 V 75 V 75 V 75 V -
最大漏极电流 (ID) 88 A 88 A 88 A 88 A 88 A -
最大漏源导通电阻 0.0085 Ω 0.0085 Ω 0.0085 Ω 0.0085 Ω 0.0085 Ω -
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB TO-220AB TO-262AA TO-262AA -
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 -
元件数量 1 1 1 1 1 -
端子数量 2 2 3 3 3 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT IN-LINE IN-LINE -
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 352 A 352 A 352 A 352 A 352 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
端子形式 GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON -
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 88 A 88 A 88 A 88 A 88 A
最高工作温度 - 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最大功率耗散 (Abs) - 288 W 288 W 288 W 288 W 288 W
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