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MH4M08CJ-7: 产品描述Fast Page DRAM Module, 4MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30; 产品类别存储存储; 文件大小121KB，共1页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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MH4M08CJ-7概述

Fast Page DRAM Module, 4MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30

参数名称	属性值
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	SIMM
包装说明	SIMM, SIM30
针数	30
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N30
内存密度	33554432 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	30
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM
封装等效代码	SIM30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	20.32 mm
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.68 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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