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IR19CDR08L

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小41KB,共3页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IR19CDR08L概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800V V(RRM), Silicon,

IR19CDR08L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明X-XUUC-N1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用HIGH POWER
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.23 V
JESD-30 代码X-XUUC-N1
湿度敏感等级1
元件数量1
相数1
端子数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

IR19CDR08L相似产品对比

IR19CDR08L IR19CDR04L
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon,
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 X-XUUC-N1 X-XUUC-N1
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 HIGH POWER HIGH POWER
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.23 V 1.23 V
JESD-30 代码 X-XUUC-N1 X-XUUC-N1
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 800 V 400 V
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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