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MRF20060R

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, CASE 451-06, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小392KB,共11页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF20060R概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, CASE 451-06, 3 PIN

MRF20060R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明CASE 451-06, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)250 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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