Synchronous DRAM, 8MX8, 4.6ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation) |
| 零件包装代码 | TSOP2 |
| 包装说明 | TSOP, TSOP54,.46,32 |
| 针数 | 54 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 4.6 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G54 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 54 |
| 字数 | 8388608 words |
| 字数代码 | 8000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 8MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP |
| 封装等效代码 | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.0015 A |
| 最大压摆率 | 0.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| SM3603T-7.5 | SM3604T-7.5F | SM3603T-7.5F | SM3604T-7.5 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Synchronous DRAM, 8MX8, 4.6ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | Synchronous DRAM, 4MX16, 4.6ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | Synchronous DRAM, 8MX8, 4.6ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | Synchronous DRAM, 4MX16, 4.6ns, CMOS, PDSO54, |
| 零件包装代码 | TSOP2 | TSOP2 | TSOP2 | TSOP2 |
| 针数 | 54 | 54 | 54 | 54 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 4.6 ns | 4.6 ns | 4.6 ns | 4.6 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G54 | R-PDSO-G54 | R-PDSO-G54 | R-PDSO-G54 |
| 内存密度 | 67108864 bit | 67108864 bit | 67108864 bit | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 8 | 16 | 8 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 54 | 54 | 54 | 54 |
| 字数 | 8388608 words | 4194304 words | 8388608 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 8000000 | 4000000 | 8000000 | 4000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 8MX8 | 4MX16 | 8MX8 | 4MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 自我刷新 | YES | YES | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 厂商名称 | Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation) | - | Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation) | Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation) |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
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