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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMLT5088EMBK
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CMLT5088EMBK

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小680KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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CMLT5088EMBK概述

Transistor

CMLT5088EMBK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Codenot_compliant
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)300
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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CMLT5088EM
SURFACE MOUNT
DUAL, MATCHED
NPN SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT5088EM
consists of two individual, isolated 5088E NPN silicon
transistors with matched VBE(ON) characteristics.
This device is designed for applications requiring high
gain and low noise.
MARKING CODE: 88M
FEATURES:
• Transistor pair matched for VBE(ON)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
SOT-563 CASE
• Device is
Halogen Free
by design
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
50
50
5.0
100
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICBO
VCB=20V
IEBO
VEB=3.0V
BVCBO
IC=100μA
BVCEO
IC=1.0mA
BVEBO
IE=100μA
VCE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=10mA
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
hFE
VCE=5.0V, IC=0.1mA
hFE
VCE=5.0V, IC=1.0mA
hFE
VCE=5.0V, IC=10mA
hFE
VCE=5.0V, IC=100mA
fT
VCE=5.0V, IC=500μA, f=20MHz
Cob
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
Cib
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
hfe
VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
NF
VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ
f=10Hz to 15.7kHz
MATCHING CHARACTERISTICS:
SYMBOL
TEST CONDITIONS
|
VBE1-VBE2
|
VCE=5.0V, IC=1.0μA
|
VBE1-VBE2
|
VCE=5.0V, IC=5.0μA
|
VBE1-VBE2
|
VCE=5.0V, IC=10μA
|
VBE1-VBE2
|
VCE=5.0V, IC=100μA
(TA=25°C unless otherwise noted)
MIN
TYP
MAX
50
50
50
135
50
65
5.0
8.7
45
100
110
400
700
800
300
430
900
300
435
300
430
50
125
100
4.0
15
350
1400
3.0
MIN
MAX
10
10
10
10
UNITS
mV
mV
mV
mV
MHz
pF
pF
dB
R1 (20-January 2010)

CMLT5088EMBK相似产品对比

CMLT5088EMBK CMLT5088EMTRLEADFREE CMLT5088EMBKLEADFREE CMLT5088EMTR
描述 Transistor Transistor Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND PICOMINI-6
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
Reach Compliance Code not_compliant compliant compliant not_compliant
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 300 300 300 50
JESD-609代码 e0 e3 e3 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz

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