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MMBZ27VCLT3

产品描述40W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小56KB,共5页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MMBZ27VCLT3概述

40W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB

MMBZ27VCLT3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大击穿电压28.35 V
最小击穿电压25.65 V
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值反向功率耗散40 W
元件数量2
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

MMBZ27VCLT3相似产品对比

MMBZ27VCLT3 MMBZ15VDLT3 MMBZ27VCLT1
描述 40W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB 40W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB 40W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大击穿电压 28.35 V 15.8 V 28.35 V
最小击穿电压 25.65 V 14.3 V 25.65 V
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
最大非重复峰值反向功率耗散 40 W 40 W 40 W
元件数量 2 2 2
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 0.3 W 0.3 W 0.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
击穿电压标称值 - 15 V 28.35 V
最大钳位电压 - 21.2 V 38 V

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