VIE150-12S4概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,

VIE150-12S4规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Littelfuse
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CUFM-X10
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	INPUT LOGIC,ISOLATION,DRIVE CIRCUITRY AND PROTECTION IN A MODULE
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	150 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	COMPLEX
JESD-30 代码	R-CUFM-X10
元件数量	2
端子数量	10
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	950 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON

	VIE150-12S4
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Littelfuse
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CUFM-X10
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	INPUT LOGIC,ISOLATION,DRIVE CIRCUITRY AND PROTECTION IN A MODULE
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	150 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	COMPLEX
JESD-30 代码	R-CUFM-X10
元件数量	2
端子数量	10
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	950 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON

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