MB81C1001A-10LC概述

Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, CDIP18

MB81C1001A-10LC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)
Objectid	101067306
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP18,.3
针数	18
Reach Compliance Code	unknown
compound_id	9669758
最长访问时间	100 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	NIBBLE MODE DRAM
内存宽度	1
端子数量	18
字数	1048576 words
字数代码	1000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
最大待机电流	0.00025 A
最大压摆率	0.054 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

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MB81C1001A-10LC相似产品对比

	MB81C1001A-10LC	MB81C1001A-80LC	MB81C1001A-70LC
描述	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, CDIP18	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, CDIP18	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, CDIP18
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)
零件包装代码	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3
针数	18	18	18
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow
最长访问时间	100 ns	80 ns	70 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0	e0	e0
内存密度	1048576 bit	1048576 bi	1048576 bi
内存集成电路类型	NIBBLE MODE DRAM	NIBBLE MODE DRAM	NIBBLE MODE DRAM
内存宽度	1	1	1
端子数量	18	18	18
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX1	1MX1	1MX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
电源	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512
最大待机电流	0.00025 A	0.00025 A	0.00025 A
最大压摆率	0.054 mA	0.062 mA	0.068 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	-	1	1

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