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BZV86-2V6AMO

产品描述DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小54KB,共3页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BZV86-2V6AMO概述

DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode

BZV86-2V6AMO规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性DIFFERENTIAL RESISTANCE IS 32.5 OHMS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型STABISTOR DIODE
最大正向电压 (VF)2.8 V
正向电压最小值(VF)2.35 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.33 W
认证状态Not Qualified
反向测试电压5 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

BZV86-2V6AMO相似产品对比

BZV86-2V6AMO BZV86-2V0AMO BZV86-3V2AMO BZV86-1V4AMO
描述 DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode
包装说明 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 DIFFERENTIAL RESISTANCE IS 32.5 OHMS DIFFERENTIAL RESISTANCE IS 30 OHMS DIFFERENTIAL RESISTANCE IS 35 OHMS DIFFERENTIAL RESISTANCE IS 20 OHMS
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 STABISTOR DIODE STABISTOR DIODE STABISTOR DIODE STABISTOR DIODE
最大正向电压 (VF) 2.8 V 2.15 V 3.45 V 1.5 V
正向电压最小值(VF) 2.35 V 1.85 V 2.85 V 1.3 V
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 0.33 W 0.33 W 0.33 W 0.33 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
反向测试电压 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL

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