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HVD359

产品描述VARIABLE CAPACITANCE DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小37KB,共1页
制造商ZHAOXINGWEI
官网地址http://www.alldatasheet.com
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HVD359概述

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

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SMD Type
Variable Capacitance Diode for VCXO
HVD359
Diodes
SOD-123
+0.1
2.7
-0.1
+0.1
0.55
-0.1
Unit: mm
+0.05
1.1
-0.05
High capacitance ratio and good C-V linearity.
To be usable at low voltage.
Super small Flat Lead Package (SFP) is suitable for surface mount design.
0.50
+0.1
3.7
-0.1
0.1max
0.35
A b s o lu te M a x im u m R a tin g s T a = 2 5
P a ra m e te r
R e ve rs e V o lta g e
J u n c tio n te m p e ra tu re
S to ra g e te m p e ra tu re
S ym b o l
V
R
T
j
T
s tg
V a lu e
15
125
-5 5 to + 1 2 5
U n it
V
Electrical Characteristics Ta = 25
Parameter
Reverse current
Symbol
I
R1
I
R2
Capacitance
Capacitance ratio
Series resistance
ESD-Capability *
1
Note:
1. Failure criterion ; I
R
20 nA at V
R
=10 V
C
1
C
4
n
r
s
C = 200 pF, R = 0
Conditions
V
R
= 10 V
V
R
= 10 V,Ta = 60
V
R
= 1 V, f = 1 MHz
V
R
= 4 V, f = 1 MHz
C
1
/ C
4
V
R
= 4 V, f = 100 MHz
, Both forward and reverse direction 1 pulse.
80
24.8
6
3
1.5
V
Min
Max
10
100
29.8
8.3
pF
Unit
nA
Marking
Marking
G
+0.05
0.1
-0.02
+0.1
1.6
-0.1
Features

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