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WED3DL644V10BI

产品描述Synchronous DRAM, 4MX64, 7ns, CMOS, PBGA153, 17 X 23 MM, BGA-153
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文件大小919KB,共28页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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WED3DL644V10BI概述

Synchronous DRAM, 4MX64, 7ns, CMOS, PBGA153, 17 X 23 MM, BGA-153

WED3DL644V10BI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数153
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B153
长度23 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量153
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX64
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.9 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度17 mm

WED3DL644V10BI相似产品对比

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描述 Synchronous DRAM, 4MX64, 7ns, CMOS, PBGA153, 17 X 23 MM, BGA-153 Synchronous DRAM, 4MX64, 6ns, CMOS, PBGA153, 17 X 23 MM, BGA-153 Synchronous DRAM, 4MX64, 6ns, CMOS, PBGA153, 17 X 23 MM, BGA-153 Synchronous DRAM, 4MX64, 5.4ns, CMOS, PBGA153, 17 X 23 MM, BGA-153 Synchronous DRAM, 4MX64, 7ns, CMOS, PBGA153, 17 X 23 MM, BGA-153 Synchronous DRAM, 4MX64, 5.4ns, CMOS, PBGA153, 17 X 23 MM, BGA-153
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, BGA, BGA, BGA, BGA, BGA,
针数 153 153 153 153 153 153
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 7 ns 6 ns 6 ns 5.4 ns 7 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153
长度 23 mm 23 mm 23 mm 23 mm 23 mm 23 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bi 268435456 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 64 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 153 153 153 153 153 153
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX64 4MX64 4MX64 4MX64 4MX64 4MX64
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.9 mm 1.9 mm 1.9 mm 1.9 mm 1.9 mm 1.9 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm
厂商名称 Microsemi - - Microsemi Microsemi Microsemi

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