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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SS9018I
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SS9018I

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小38KB，共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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SS9018I概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92

SS9018I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.05 A
基于收集器的最大容量1.7 pF
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)132
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)1100 MHz

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SS9018
SS9018
AM/FM Amplifier, Local Oscillator of
FM/VHF Tuner
• High Current Gain Bandwidth Product f
T
=1.1 GHz (Typ)
1
TO-92
1. Emitter 2. Base 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Ratings
30
15
5
50
400
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
V
CE
(sat)
C
ob
f
T
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
Test Condition
I
C
=100µA, I
E
=0
I
C
=1.0mA, I
B
=0
I
E
=100µA, I
C
=0
V
CB
=12V, I
E
=0
V
CE
=5V, I
C
=1.0mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
CB
=10V, I
E
=0
f=1MHz
V
CE
=5V, I
C
=5mA
700
1.3
1100
28
100
Min.
30
15
5
50
198
0.5
1.7
V
pF
MHz
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
h
FE
Classification
Classification
h
FE
D
28 ~ 45
E
39 ~ 60
F
54 ~ 80
G
72 ~ 108
H
97 ~ 146
I
132 ~ 198
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A4, November 2002

SS9018I相似产品对比

SS9018I SS9018G SS9018E SS9018H
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
基于收集器的最大容量 1.7 pF 1.7 pF 1.7 pF 1.7 pF
集电极-发射极最大电压 15 V 15 V 15 V 15 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 132 72 39 97
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.4 W 0.4 W 0.4 W 0.4 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 1100 MHz 1100 MHz 1100 MHz 1100 MHz
厂商名称 Fairchild - Fairchild Fairchild

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