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HB52E89EM-B6: 产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, 133.37 X 4 MM, 34.925 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小715KB，共77页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB52E89EM-B6概述

Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, 133.37 X 4 MM, 34.925 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168

HB52E89EM-B6规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	603979776 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C
最低工作温度
组织	8MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
最大待机电流	0.018 A
最大压摆率	1.305 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

HB52E89EM-B6相似产品对比

	HB52E89EM-B6	HB52E168EN-B6	HB52E169EN-B6	HB52E88EM-B6
描述	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, 133.37 X 4 MM, 34.925 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, 133.37 X 4 MM, 34.925 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6ns, CMOS, 133.37 X 4 MM, 34.925 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, 133.37 X 4 MM, 34.925 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	603979776 bit	1073741824 bit	1207959552 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	72	64	72	64
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168
字数	8388608 words	16777216 words	16777216 words	8388608 words
字数代码	8000000	16000000	16000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C
组织	8MX72	16MX64	16MX72	8MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096
最大待机电流	0.018 A	0.032 A	0.036 A	0.016 A
最大压摆率	1.305 mA	1.4 mA	1.575 mA	1.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

HB52E89EM-B6

HB52E89EM-B6概述

HB52E89EM-B6规格参数

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