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BAS116T/R

产品描述0.215A, 85V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小70KB,共8页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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BAS116T/R概述

0.215A, 85V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3

BAS116T/R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
Objectid1451865337
零件包装代码SOT-23
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
compound_id9429936
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流4.5 A
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.215 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压85 V
最大反向恢复时间3 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40

 
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