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IDT713024SL25P

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDIP32
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文件大小93KB,共2页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT713024SL25P概述

Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDIP32

IDT713024SL25P规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明DIP, DIP32,.4
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T32
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

IDT713024SL25P相似产品对比

IDT713024SL25P IDT713024SL20Y IDT713024SL25Y 713024SL20P
描述 Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDIP32 Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32 Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDSO32 Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDIP32
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
最长访问时间 25 ns 20 ns 25 ns 20 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDIP-T32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8
端子数量 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOJ SOJ DIP
封装等效代码 DIP32,.4 SOJ32,.44 SOJ32,.44 DIP32,.4
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) -
包装说明 DIP, DIP32,.4 SOJ, SOJ32,.44 SOJ, SOJ32,.44 -
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