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S26GL01GS10GFI010: 产品描述64M X 8 FLASH 2.7V PROM, 110 ns, PDSO56; 产品类别存储; 文件大小3MB，共104页; 制造商SPANSION; 官网地址http://www.spansion.com/

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S26GL01GS10GFI010概述

64M X 8 FLASH 2.7V PROM, 110 ns, PDSO56

64M × 8 FLASH 2.7V 可编程只读存储器, 110 ns, PDSO56

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	56
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V
最小供电/工作电压	2.7 V
额定供电电压	3 V
最大存取时间	110 ns
加工封装描述	LEAD FREE, PACKAGE
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
中国RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
工艺	CMOS
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	0.5000 mm
端子涂层	MATTE TIN
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
温度等级	INDUSTRIAL
内存宽度	8
组织	64M X 8
存储密度	5.13E8 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS
位数	6.41E7 words
位数	64M
内存IC类型	FLASH 2.7V PROM
串行并行	PARALLEL

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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