H8BES0UQ0MCR-46M,H8BES0UQ0MCR-46M pdf中文资料,H8BES0UQ0MCR-46M引脚图,H8BES0UQ0MCR-46M电路-Datasheet-电子工程世界

H8BES0UQ0MCR-46M: 产品描述Memory Circuit, 256MX16, CMOS, PBGA137, FBGA-137; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共106页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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H8BES0UQ0MCR-46M概述

Memory Circuit, 256MX16, CMOS, PBGA137, FBGA-137

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
包装说明	FBGA-137
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	SDRAM IS ORGANISED AS 64MX32
JESD-30 代码	R-PBGA-B137
长度	13 mm
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	137
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-30 °C
组织	256MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	10.5 mm

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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