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H8BFS0WU0MCR-4EM

产品描述Memory Circuit, 128MX32, CMOS, PBGA137, FBGA-137
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共110页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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H8BFS0WU0MCR-4EM概述

Memory Circuit, 128MX32, CMOS, PBGA137, FBGA-137

H8BFS0WU0MCR-4EM规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
包装说明FBGA-137
Reach Compliance Codecompliant
其他特性IT ALSO CONTAINS 8GBIT(512MBIT X 16) NAND FLASH MEMORY OPERATES AT 1.8V NOM SUPPLY
JESD-30 代码R-PBGA-B137
长度13 mm
内存密度4294967296 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度32
功能数量1
端子数量137
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
组织128MX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度10.5 mm

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