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74LVC1G38GM,132

产品描述74LVC1G38 - 2-input NAND gate; open drain SON 6-Pin
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小808KB,共19页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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74LVC1G38GM,132概述

74LVC1G38 - 2-input NAND gate; open drain SON 6-Pin

74LVC1G38GM,132规格参数

参数名称属性值
Brand NameNexperia
厂商名称Nexperia
零件包装代码SON
包装说明VSON,
针数6
制造商包装代码SOT886
Reach Compliance Codecompliant
Samacsys Description74LVC1G38 - 2-input NAND gate; open drain@en-us
系列LVC/LCX/Z
JESD-30 代码R-PDSO-N6
JESD-609代码e3
长度1.45 mm
逻辑集成电路类型NAND GATE
湿度敏感等级1
功能数量1
输入次数2
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSON
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
传播延迟(tpd)12.5 ns
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度1 mm

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74LVC1G38
2-input NAND gate; open drain
Rev. 8 — 7 December 2016
Product data sheet
1. General description
The 74LVC1G38 provides a 2-input NAND function.
Inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of this
device as translator in a mixed 3.3 V and 5 V environment.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
. The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through the device
when it is powered down.
2. Features and benefits
Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V
5 V tolerant outputs for interfacing with 5 V logic
High noise immunity
Complies with JEDEC standard:
JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)
JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)
JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V).
ESD protection:
HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
24
mA output drive (V
CC
= 3.0 V)
CMOS low power consumption
Open drain outputs
Latch-up performance exceeds 250 mA
Direct interface with TTL levels
Inputs accept voltages up to 5 V
Multiple package options
Specified from
40 C
to +125
C.

74LVC1G38GM,132相似产品对比

74LVC1G38GM,132 74LVC1G38GM,115 74LVC1G38GN,132 74LVC1G38GV,125 74LVC1G38GX,125
描述 74LVC1G38 - 2-input NAND gate; open drain SON 6-Pin IC GATE NAND 1CH 2-INP 6XSON IC GATE NAND 1CH 2-INP 6XSON IC GATE NAND 1CH 2-INP 5TSOP IC GATE NAND OD 1CH 2-INP 4DFN
Brand Name Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia -
厂商名称 Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia -
零件包装代码 SON SON SON TSOP -
包装说明 VSON, VSON, SON, TSSOP, -
针数 6 6 6 5 -
制造商包装代码 SOT886 SOT886 SOT1115 SOT753 -
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant -
Samacsys Description 74LVC1G38 - 2-input NAND gate; open drain@en-us 74LVC1G38 - 2-input NAND gate; open drain@en-us 74LVC1G38 - 2-input NAND gate; open drain@en-us 74LVC1G38 - 2-input NAND gate; open drain@en-us -
系列 LVC/LCX/Z LVC/LCX/Z LVC/LCX/Z LVC/LCX/Z -
JESD-30 代码 R-PDSO-N6 R-PDSO-N6 R-PDSO-N6 R-PDSO-G5 -
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 -
长度 1.45 mm 1.45 mm 1 mm 2.9 mm -
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE -
湿度敏感等级 1 1 1 1 -
功能数量 1 1 1 1 -
输入次数 2 2 2 2 -
端子数量 6 6 6 5 -
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C -
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -
输出特性 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 VSON VSON SON TSSOP -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260 -
传播延迟(tpd) 12.5 ns 12.5 ns 12.5 ns 12.5 ns -
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified -
座面最大高度 0.5 mm 0.5 mm 0.35 mm 1.1 mm -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V 1.65 V 1.65 V 1.65 V -
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 3.3 V 1.8 V -
表面贴装 YES YES YES YES -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS -
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE -
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) -
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD GULL WING -
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.3 mm 0.95 mm -
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 - 30 -
宽度 1 mm 1 mm 0.9 mm 1.5 mm -

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