IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 125 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.005 µA |
标称带宽 (3dB) | 1 MHz |
最小共模抑制比 | 66 dB |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.0025 µA |
最大输入失调电压 | 125 µV |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 9.88 mm |
负供电电压上限 | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
最大非线性 | 0.001% |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.33 mm |
标称压摆率 | 1.2 V/us |
最大压摆率 | 1.5 mA |
供电电压上限 | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | NO |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
最大电压增益 | 1000 |
最小电压增益 | 1 |
标称电压增益 | 10 |
宽度 | 7.62 mm |
AD622AN | AD622ARZ-REEL7 | AD622ARZ-REEL | |
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描述 | IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 125 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 125uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 125uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | DIP | SOIC | SOIC |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 | SOIC-8 | SOIC-8 |
针数 | 8 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.005 µA | 0.005 µA | 0.005 µA |
标称带宽 (3dB) | 1 MHz | 1 MHz | 1 MHz |
最小共模抑制比 | 66 dB | 66 dB | 66 dB |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.0025 µA | 0.0025 µA | 0.0025 µA |
最大输入失调电压 | 125 µV | 125 µV | 125 µV |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e0 | e3 | e3 |
长度 | 9.88 mm | 4.9 mm | 4.9 mm |
负供电电压上限 | -18 V | -18 V | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V |
最大非线性 | 0.001% | 0.001% | 0.001% |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | SOP | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE | 240 | 240 |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.33 mm | 1.75 mm | 1.75 mm |
标称压摆率 | 1.2 V/us | 1.2 V/us | 1.2 V/us |
供电电压上限 | 18 V | 18 V | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
表面贴装 | NO | YES | YES |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | 30 | NOT SPECIFIED |
最大电压增益 | 1000 | 1000 | 1000 |
最小电压增益 | 1 | 1 | 1 |
标称电压增益 | 10 | 10 | 10 |
宽度 | 7.62 mm | 3.9 mm | 3.9 mm |
是否无铅 | - | 含铅 | 含铅 |
Is Samacsys | - | N | N |
湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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