IRLI640G-013,IRLI640G-013 pdf中文资料,IRLI640G-013引脚图,IRLI640G-013电路-Datasheet-电子工程世界

IRLI640G-013: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小46KB，共1页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRLI640G-013概述

Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	9.8 A
最大漏源导通电阻	0.18 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	40 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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