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APTGF300DU120

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小301KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APTGF300DU120概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

APTGF300DU120规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码MODULE
包装说明MODULE-7
针数7
Reach Compliance Codeunknown
其他特性AVALANCHE RATED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)400 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X7
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2080 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)530 ns
标称接通时间 (ton)120 ns
VCEsat-Max3.9 V

 
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