IC 1K X 8 OTPROM, CDIP24, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | DIP, DIP24,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 8192 bit |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 1KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.572 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| DM77SR181J | DM87SR181N | DM87SR181J | DM87SR181V | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC 1K X 8 OTPROM, CDIP24, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM | IC 1K X 8 OTPROM, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24, Programmable ROM | IC 1K X 8 OTPROM, CDIP24, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM | IC 1K X 8 OTPROM, PQCC28, PLASTIC, LCC-28, Programmable ROM |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP24,.3 | DIP, DIP24,.3 | DIP, DIP24,.3 | QCCJ, LDCC28,.5SQ |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 | R-PDIP-T24 | R-GDIP-T24 | S-PQCC-J28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 8192 bit | 8192 bit | 8192 bit | 8192 bit |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM | OTP ROM | OTP ROM | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 24 | 24 | 24 | 28 |
| 字数 | 1024 words | 1024 words | 1024 words | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1KX8 | 1KX8 | 1KX8 | 1KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | QCCJ |
| 封装等效代码 | DIP24,.3 | DIP24,.3 | DIP24,.3 | LDCC28,.5SQ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.572 mm | 5.334 mm | 4.572 mm | 4.57 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | YES |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | J BEND |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm | 11.43 mm |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | - | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） |
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