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WED3DG7265V7D2

产品描述Synchronous DRAM Module, 64MX72, CMOS, DIMM-168
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文件大小454KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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WED3DG7265V7D2概述

Synchronous DRAM Module, 64MX72, CMOS, DIMM-168

WED3DG7265V7D2规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Objectid1820318459
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM,
针数168
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
compound_id6543078
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度4831838208 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

WED3DG7265V7D2相似产品对比

WED3DG7265V7D2 WED3DG7265V10D2
描述 Synchronous DRAM Module, 64MX72, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 64MX72, CMOS, DIMM-168
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM,
针数 168 168
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 4831838208 bit 4831838208 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 72 72
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 64MX72 64MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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