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V58C2256324SAH-36

产品描述DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, ROHS COMPLIANT, BGA-144
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文件大小370KB,共37页
制造商ProMOS Technologies Inc
标准  
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V58C2256324SAH-36概述

DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, ROHS COMPLIANT, BGA-144

V58C2256324SAH-36规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ProMOS Technologies Inc
Objectid2034408049
零件包装代码BGA
包装说明ROHS COMPLIANT, BGA-144
针数144
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
compound_id6571031
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.55 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)275 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B144
长度12 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA144,12X12,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.4 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.38 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度12 mm

V58C2256324SAH-36相似产品对比

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描述 DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, ROHS COMPLIANT, BGA-144 8MX32 DDR DRAM, 0.5ns, PBGA144, ROHS COMPLIANT, BGA-144 DDR DRAM, 8MX32, 0.5ns, CMOS, PBGA144, ROHS COMPLIANT, BGA-144 DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, ROHS COMPLIANT, BGA-144 8MX32 DDR DRAM, 0.65ns, PBGA144, ROHS COMPLIANT, BGA-144 8MX32 DDR DRAM, 0.6ns, PBGA144, ROHS COMPLIANT, BGA-144
厂商名称 ProMOS Technologies Inc ProMOS Technologies Inc ProMOS Technologies Inc ProMOS Technologies Inc ProMOS Technologies Inc ProMOS Technologies Inc
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 ROHS COMPLIANT, BGA-144 LFBGA, BGA144,12X12,32 ROHS COMPLIANT, BGA-144 ROHS COMPLIANT, BGA-144 ROHS COMPLIANT, BGA-144 LFBGA,
针数 144 144 144 144 144 144
Reach Compliance Code compliant unknown compliant compliant unknown unknown
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.55 ns 0.5 ns 0.5 ns 0.6 ns 0.65 ns 0.6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144
长度 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 144 144 144 144 144 144
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V
最小供电电压 (Vsup) 2.38 V 2.38 V 2.38 V 2.38 V 2.38 V 2.38 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm

 
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