V59C1512404QDUF3E,V59C1512404QDUF3E pdf中文资料,V59C1512404QDUF3E引脚图,V59C1512404QDUF3E电路-Datasheet-电子工程世界

V59C1512404QDUF3E: 产品描述DDR DRAM, 128MX4, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, MO-207, FBGA-60; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共74页; 制造商ProMOS Technologies Inc; 标准

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V59C1512404QDUF3E概述

DDR DRAM, 128MX4, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, MO-207, FBGA-60

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ProMOS Technologies Inc
零件包装代码	DSBGA
包装说明	TFBGA,
针数	60
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	10.5 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10 mm

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