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TSS4B01GD2

产品描述Bridge Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小391KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TSS4B01GD2概述

Bridge Rectifier Diode,

TSS4B01GD2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明R-PSFM-T4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压50 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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TSS4B01G thru TSS4B04G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Glass passivated junction
- Ideal for printed circuit board
- High case dielectric strength of 2000VRMS
- Reliable low cost construction
- UL Recognized File # E-326243
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Glass Passivated Bridge Rectifiers
TS4B
MECHANICAL DATA
Case:
TS4B
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Polarity as marked on the body
Mounting torque:
5 in-lbs maximum
Weight:
4 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Rating for fusing (t<8.3ms)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@4A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time(Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A.
T
J
=25
T
J
=125℃
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
Trr
R
θJC
T
J
T
STG
35
5.5
- 55 to +150
- 55 to +150
0.98
5
500
50
O
TSS4B
01G
50
35
50
TSS4B
02G
100
70
100
4
150
93
TSS4B
03G
200
140
200
TSS4B
04G
400
280
400
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
s
1.3
V
μA
ns
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1311039
Version: D13
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