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IRFC024PBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小29KB,共1页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

IRFC024PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFC024PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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