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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> PDM31256S20SOI
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PDM31256S20SOI

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28
产品类别存储    存储   
文件大小175KB，共8页
制造商Paradigm Technology Inc
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PDM31256S20SOI概述

Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28

PDM31256S20SOI规格参数

参数名称属性值
厂商名称Paradigm Technology Inc
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间20 ns
JESD-30 代码R-PDSO-J28
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式J BEND
端子位置DUAL

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