N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 30 A |
最大漏极电流 (ID) | 30 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0107 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N5 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 30 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 120 A |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
RJK03B7DPA-00-J5A | RJK03B7DPA_13 | |
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描述 | N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching | N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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