IC OP-AMP, 5500 uV OFFSET-MAX, 40 MHz BAND WIDTH, MBCY12, METAL CAN, TO-8, 12 PIN, Operational Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | TO-8 |
| 包装说明 | METAL CAN, TO-8, 12 PIN |
| 针数 | 12 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 12 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 8 µA |
| 最小共模抑制比 | 86 dB |
| 标称共模抑制比 | 100 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 5500 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W12 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-失调 | NO |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 12 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装代码 | TO-8 |
| 封装等效代码 | QUAD12,.4SQ |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最小摆率 | 200 V/us |
| 标称压摆率 | 300 V/us |
| 最大压摆率 | 16 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 40000 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 |
| AD841SH/883B | 5962-8964101CA | AD841JCHIPS | AD841JH | AD841SCHIPS | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC OP-AMP, 5500 uV OFFSET-MAX, 40 MHz BAND WIDTH, MBCY12, METAL CAN, TO-8, 12 PIN, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 5500 uV OFFSET-MAX, 40 MHz BAND WIDTH, CDIP14, HERMETIC SEALED, CERDIP-14, Operational Amplifier | Wideband, Unity-Gain Stable, Fast Settling Op Amp | IC OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 40 MHz BAND WIDTH, MBCY12, METAL CAN, TO-8, 12 PIN, Operational Amplifier | Wideband, Unity-Gain Stable, Fast Settling Op Amp |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 符合 | 不符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | TO-8 | DIP | DIE | TO-8 | DIE |
| 包装说明 | METAL CAN, TO-8, 12 PIN | HERMETIC SEALED, CERDIP-14 | DIE-7 | METAL CAN, TO-8, 12 PIN | DIE-7 |
| 针数 | 12 | 14 | - | 12 | - |
| Reach Compliance Code | unknown | not_compliant | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | - | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | - | OPERATIONAL AMPLIFIER | - |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | - | VOLTAGE-FEEDBACK | - |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 12 µA | 12 µA | - | 10 µA | - |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 8 µA | 8 µA | - | 8 µA | - |
| 标称共模抑制比 | 100 dB | 100 dB | - | 100 dB | - |
| 频率补偿 | YES | YES | - | YES | - |
| 最大输入失调电压 | 5500 µV | 5500 µV | - | 5000 µV | - |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W12 | R-GDIP-T14 | - | O-MBCY-W12 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 | - |
| 低-失调 | NO | NO | - | NO | - |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | - | -15 V | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | - |
| 端子数量 | 12 | 14 | - | 12 | - |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | - | 75 °C | - |
| 封装主体材料 | METAL | CERAMIC, GLASS-SEALED | - | METAL | - |
| 封装代码 | TO-8 | DIP | - | TO-8 | - |
| 封装等效代码 | QUAD12,.4SQ | DIP14,.3 | - | QUAD12,.4SQ | - |
| 封装形状 | ROUND | RECTANGULAR | - | ROUND | - |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | IN-LINE | - | CYLINDRICAL | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | - | +-15 V | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | - |
| 最小摆率 | 200 V/us | 140 V/us | - | 200 V/us | - |
| 标称压摆率 | 300 V/us | 300 V/us | - | 300 V/us | - |
| 最大压摆率 | 16 mA | 16 mA | - | 14 mA | - |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V | - | 18 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | - | 15 V | - |
| 表面贴装 | NO | NO | - | NO | - |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | - | BIPOLAR | - |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | - | COMMERCIAL EXTENDED | - |
| 端子面层 | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn63Pb37) | - | TIN LEAD | - |
| 端子形式 | WIRE | THROUGH-HOLE | - | WIRE | - |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | - | 2.54 mm | - |
| 端子位置 | BOTTOM | DUAL | - | BOTTOM | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - |
| 标称均一增益带宽 | 40000 kHz | 40000 kHz | - | 40000 kHz | - |
| 最小电压增益 | 25000 | 12000 | - | 25000 | - |
| 是否无铅 | - | 含铅 | 含铅 | - | 含铅 |
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